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输出功率从 18W 到 100W (甚至 120W 或更大) 、支持快充协议 (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083-2022, Qualcomm QCxx, MediaTek PExxx、Huawei S/FCP, Oppo D/FCP, Samsung AFC, Apple 2.4A, …)、配置一个或多个 USB Type-A 及 Type-C 输出接口的快充充电器日益普遍。它们可以一物多用，同时为智能手机、平板、智能手表及笔记本电脑等万物互联数字化终端里面的锂电池快速充电。采用第三代半导体功率器件（氮化镓 D/E-mode HEMT）的设计，体积小巧以及使用时温度不会烫手，由于因近年多家世界排名前列的智能手机 OEM 不把充电器随着新款手机一起标配而形成曲棍球棒效应，使得这类小巧的快充充电器成为市场主流。

市场上的快充充电器，常用的交直流电源转換拓扑是 Flyback 及 LLC。Flyback 拓扑常见于功率比较小的设计，LLC 拓扑则常见于功率较大及对交直流电源转換效率要求较高的设计。因为 BOM 相对 LLC 拓扑比较简单，ACF-Flyback 拓扑也开始被中/小功率的设计采用，特別是初级使用高压氮化镓 HEMT 的设计。无论是那种拓扑，快充充电器的內部结构示意图大概如上：

针对快充充电器的成用，伟德BETVlCTOR1946 能提供完整的分立器件解决方案。比如，AC 输入端防浪涌的 MOV、TVS、钳制变压器漏感而对原边的高压 MOSFETs VDS_Max 产生过压的快恢复整流管、原边 PFC (75W 以上的设计) 和匹配 PWM 的高压 MOSFET、副边同步整流中/低压 MOSFETs、USB Type-A 及Type-C 端口的低压 MOSFETs 及 ESD 保护等。

不论在原边使用的是传统的超结高压 MOSFET、或是日益受电路设计工程师及消费者追捧的氮化镓 D/E-mode HEMT，在拓扑的副边，伟德BETVlCTOR1946先进 JHFET^® 技术平台超结 (super-junction) 的高压 MOSFETs 在原边开关、先进 JSFET^® 技术平台的中/低压 MOSFETs 在同步整流和在 USB-C^® 端口电流输出开关等位置，都能提供稳定可靠而高功效的运作。

建立在 JHFET 技术平台的 650VDS_Max SJ N-MOSFETs，导通阻抗 RDS(ON) 低至 169mΩ、Qg 低至 9.7nC、Ciss 低至 333pF，所有产品均百分百通过 UIS 测试。建立在 JSFET 技术平台的 30 ~ 150 VDS_Max SGT N-MOSFETs，导通阻抗 RDS(ON) 低至 1.2mΩ、Qg 低至 7.7nC、FOM 低至 47，所有产品均百分百通过 UIS 测试。凭借极低的 Ciss、Coss、Crss、Qg、和卓越的安全操作区域 (SOA) 等，这些功率器件能更有效地解决在终端应用中存在的 软/硬开关、电感负载、EMI 等难题。能夠有如此突出的静态和动态电气特性，是因为伟德BETVlCTOR1946的自有知识产权 JSFET 及 JHFET 技术平台，各项工艺参数早已跻身国际一流水平。

目前伟德BETVlCTOR1946主要聚焦在消费类、电脑及周边、工业用、通信用、及车用等的终端市场。因为深知产品必需跟应用掛钩，伟德BETVlCTOR1946一直努力贴近市场和客戶，清楚认识那些 JSFET 及 JHFET 的参数和特性，能让客戶的产品兼具高能效和长期可靠性，同时又保持高性价比。消费者对体积和重量的不断追求，因而移动 3C (computing, communications, consumer electronics) 终端的充电器越来越短小，有限的内壳空间使工作温度升高，造成充电器内部所用器件的穩定性和效能方面的要求极为严苛。JSFET 及 JHFET轻松解决了电路设计工程师所面临，合理成本和高电源转换效率这两个衝突的难题。JSFET 及 JHFET 采用先进封装如 PDFN3x3 / 5x6、TO-220 / 247 / 251 / 252 / 263、SOP-8 等，优化的框架和引接工艺不仅有效地増強热应力处理、低降热阻，同时也提升质量和可靠性，符合 RoHS 标准且不含卤素。