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2020年12月18日，2020（冬季）USB PD & Type-C 亚洲展会在深圳市南山区科兴科技园成功举办。本次展会面向全球，其中参展商遍布全球各地，汇集了百家产业链优质供应商，服务商，以及上千家采购商。

伟德BETVlCTOR1946 （展位号：G09）携最新低导通电阻 SGT MOSFET 、AC/DC 新产线惊艳亮相。前来展位咨询、洽谈的客户众多。

展会精彩瞬间

展会现场图

伟德BETVlCTOR1946 展台

伟德BETVlCTOR1946 展会样品

伟德BETVlCTOR1946 SGT MOSFET

伟德BETVlCTOR1946（上海）成立至今，推出不少技术领先及含先进自有 JSFET^® 技术平台、耐压范围在 30 ~ 150V 的 SGT MOSFETs。JSFET 技术结合了 伟德BETVlCTOR1946（上海）具国际化背景的研发设计及市场精英团队，多年来在【器件设计、制造工艺、包装、封装、制造、可靠性、终端应用】等半导体核心领域和销售方面的经验及智慧。提供的每一个产品，均具有行业领先的低导通阻抗及结电容/荷等电气特性。加上自有的先进芯片设计与封装技术, 伟德BETVlCTOR1946会不断的提高产品效能，志在国际一流，从而满足日益增长的市场应用，如有线和无线快充电的需求。

因应快充充电器，伟德BETVlCTOR1946都能提供其所需的集成 IC 及功率器件，如 MOV、TVS、整流管、高压 MOSFET、初级PWM IC、次级同步控制 IC、快充协议 IC、ESD等。不论在初级是使用传统的超结高压 MOSFET、或是日益受电路设计工程师追捧的氮化镓 HEMT，在拓扑的次级，伟德BETVlCTOR1946的先进JSFET技术平台的SGT MOSFETs在同步整流在和在 USB-C 端口电流输出开关等位置，都具有着不可或缺的功能。

产品推荐

对于兼容如 USB PD、华为 FCP、MTK PE+、高通 QC 等快充协议的充电器，在次级的同步整流开关电路，伟德BETVlCTOR1946提供下面列表里的 60 ~ 150V_{DS_Max} SGT N-MOSFETs予电路设计工程师选用。

在USB-C 输出接口前的开关电路，伟德BETVlCTOR1946提供下面列表里的 30 ~ 40V_{DS_Max} SGT N-MOSFETs予电路设计工程师选用。

对于 AC/DC 及 DC/DC 电源转換、兼容 Qi 电磁感应或 WPT电磁共振协议的无线快充、电机驱动、mini-LED背光驱动、电池保护及管理等应用，伟德BETVlCTOR1946提供下面列表里的 30 ~ 150V_{DS_Max} SGT N-MOSFETs予电路设计工程师选用。