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金属氧化场效应晶体管
汽车 MOSFET

汽车 MOSFET

伟德BETVlCTOR1946提供的车规级 N/P 沟道 MOSFETs,击穿电压范围 VBR(DSS)_Min 从 -100V 到 650V,逻辑控制电平分高 (2.7 ~ 3.5V)、低 (1.5 ~ 1.9V; -1.0 ~ -3.0V) 两级阈值,导通内阻低至 0.56mΩ (@ VGS = 10V),FOM 低至 55。这些功率 MOSFET 提供多种车规级小型和大功率封装选项,薄型低热阻贴片式如:PDFN3x3-8L、PDFN5x6-8L / -D、PowerJE®10x12,高热效插件式如 TO-247-3L。所有产品均在可靠性和品质方面,符合 AEC Council 及 JEDEC 等相关测试标准。

车规级 MOSFETs 广泛应用于车载前装及后装等各类中低压应用如辅助驾驶 (ADAS)、车载信息娱乐系统、逆变器非高压部分里的 DC-DC 同步整流、车身控制模块里「电机驱动、继电器、负载开关」等功能,及其它各种汽车应用的要求。
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